长盛同德fet(fet是什么电子元件)

FET特性與應用電路
本實驗講義共計
19
頁

2005.8.19
第二次修訂

一、實驗目標

1.

認識
FET
的特性。

2.

了解各種偏壓方法的差異，以及偏壓與放大的關係。

3.

了解各種型態的
FET
放大器，並試接
Common-Source
放大器鞍山一工 ，以及利用
Active
Load
的放大器。


二、

實驗提示

【認識元件】
FET

場效電晶體（
Field-Effect Transistor
，簡稱
FET
），與
BJT
一樣是目前應用非常廣泛
的電子元件。以使用者的角度而言，
FET
與
BJT
是特性與功能相似的元件，但
FET
更簡
單好用，接近理想的電壓控制電流源（
Voltage-Controlled current source
）。

BJT
是一個電壓控制電流元件（以
V
BE
控制
I
C
），但不是很理想，因為它輸入端（基
極）電流不為零且輸入阻抗不是很大，造成一些實用上的麻煩（例如設計
BJT
放大器時，
要考慮
I
B
及輸入電阻的影響）；而就
FET
而言，就不需考量這些缺點。以
MOSFET
為例，
它與
BJT
結構其實很像，只是適度地將
BJT
中窄小的基極（
Base
）放寬，其巧妙地加上
一層
SiO
2
絕緣體使輸入電流為零（輸入阻抗趨近無窮大）。它並揚棄
BJT
用
P-N junction
控制電流的想法（這是
BJT
叫
Bipolar Junction Transistor
的原因），改以加於
SiO
2
絕緣體
上的電壓來控制電流。如此，簡單的想法加上巧妙的結構，便造就一顆近似理想電壓控
制電流源的元件。（詳細工作原理請參考
Smith Chapter 5
或
Millman Chapter 4
）

FET
比
BJT
更容易製造，
MOSFET
可以接成電阻及電容，而且體積較小，非常適合
於積體電路中600770股票 使用。
FET
有很好的溫度特性，在溫度變化時，比
BJT
穩定；但是一般而
言，頻率響應較差。

常見的場效電晶體有兩種元件：
MOSFET
（
Metal-Oxide Semiconductor
）跟
JFET
（
Junction Field-Effect Transistor
），但是不管那一種元件，他們基本的電路特性都是類
似的，所以將它們分類為同一類的元件。

由於
MOS
的結構中的
oxide
容易被靜電所破壞，而人體有許多的靜電，所以有些注
意事項請大家注意：


1.

不論是拔除、掌觸或插入
MOS
到任何儀器或線路上，一定要先將電源關掉。

2.

移動
MOS
元件一定要先確定你的人體電位跟所欲拔移的元件電位相等。一般性
的做法是先將手去接觸電路單元的框架上（如地線之類）。

5-1

，所以當
MOS
有短路的時
3.

另外如果將
MOS
元件中的各接點短路時可以保護
MOS
候，一般是先將
MOS
與外部電路先接好，然後再移去短路（如鋁箔）。

4.

不建議以電銲槍在
MOS
上銲接；如有必要，在銲接
MOS
時，一定要先確定銲頭
為接地的電位。

5.

減少靜電是保護
MOS
的方法，所以接地很重要，如不確定一個東西或者你的身
體是否有靜電，請先接地，可將靜電移去。


? JFET
的特性

（
G
極；
Gate
）、源極（
S
極；
Source
）、
JFET
是三個端點的元件，其三個端點分別為閘極
汲極（
D
極；
Drain
）。一般而言，源極跟汲極在結構上互相對稱，可以交換使用，而我
們是根據電性來決定何者為源極、何者是汲極。因為一般使用的
FET
大部分是
N-channel
，所以下面介紹
JFET
的特性是以
N-channel
為主，若是
P-channel
的元件只要把
電壓與電流的極性相反即可。而其電路符號，如
Fig. 农行基金定投 1
所示：









D
G
S
(a)n-channel
Fig. 1
D
G
S
(b)p-channel

JFET
之電路符號

I
D
(mA)
Ohmic
Triode
region
16
region |中联重科股票 富国天瑞基金
12
8
4
24
-V
P
6
Saturation
region
I
D
(mA)
V
GS
=0V
-0.5V
-1V
-2V
I
dss
16
12
8
4
-4
V
P
(b)Transfer characteristic
-3-2-1V
GS
(V)81012
-3V
V
DS
(V)
Cutoff region
(V
GS